進入2026年後，三星晶圓代工業務似乎迎來了轉折點，最近2nm製程節點的開發和客戶訂單談判進展似乎都非常順利。最近有消息稱，2nm GAA工藝繼續取得進展，現在的良品率已提升至60%，距離70%的目標又近了一步。
據TrendForce報道，三星正在加大對先進半導體技術的投入，目標2030年之前完成1nm製程節點的開發工作，2030年實現量產，搶佔下一代製程技術代工市場的主導權。與此同時，三星還計劃深耕2nm製程節點，擴展不同細分工藝的陣容，以進一步爭取主要客戶。
在1nm製程節點上，三星預計將採用新的晶體管架構，引入“Forksheet”叉片晶體管結構。三星從3nm製程節點引入的GAA（Gate-All-Around）晶體管結構，將電流路徑從原有的三個面擴展到四個面，最大限度地提高了功耗效率，而Forksheet則是在這基礎上的演進，利用叉形片層技術在晶體管之間加入絕緣牆，從而縮小了晶體管之間的間距。通過消除未使用的空間，同一芯片面積下可以容納更多晶體管。
去年三星在韓國首爾舉行的SAFE 2025活動上，展示了第三代2nm工藝，稱為“SF2P+”。另外三星針對特斯拉的AI6芯片，正在開發一種定製化工藝，稱為“SF2T”。三星計劃今年開始部署第三代2nm工藝，也就是SF2P，明年再上線SF2P+。
