半導體王者歸來？Intel 7nm關鍵指標洩漏：比肩3nm

　　這幾天，Intel公佈了雄心勃勃的IDM 2.0戰略，將投資200億美元建設兩座半導體晶圓廠，7nm工藝要在2023年量產，目標是要重回半導體領先地位。

　　在14nm節點之前，特別是22nm首發3D電晶體FinFET工藝之後，Intel在2014年之前可以說是全球最先進的半導體工廠，官方PPT曾經表示他們領先友商至少3.5年，考慮到當時三星、臺積電的情況，Intel此言不虛。

　　當然，這幾年情況變了，14nm工藝雖然效能很好，但是從2014到現在都用了7年了，臺積電三星這幾年中可是從28nm一路升級到了5nm工藝，明年都要量產3nm工藝了。

　　Intel今年的主力會是10nm，下一個節點7nm原定是2021年，不過跳票到了2023年，首款CPU產品將是Meteor Lake，今年Q2季度會Tape in，也就是完成設計工作，即將進入流片階段。

　　那Intel的7nm工藝到底如何？現在還沒明確訊息，不過業界大站Anandtech的主編Ian Cutress公佈了一些資料，對比了不同工藝的電晶體密度，如下所示：

　　臺積電的5nm工藝密度是1.71億電晶體/mm2，3nm工藝可達2.9億電晶體/mm2，而Intel的10nm工藝是1.01億電晶體/mm2，7nm節點可達2-2.5億電晶體/mm2。

　　對比的話，Intel的7nm工藝按最高水平來看，非常接近臺積電的3nm工藝，哪怕在2023年問世，有這個水平的話也不比臺積電差多少，不像現在這樣14nm、10nm工藝被7nm、5nm遙遙領先。

　　當然，以上都是極限水平，實際表現還要看處理器的具體情況，只是現在這個資料足以說明Intel的7nm工藝不容小覷，耐心等待兩年，或許Intel真的王者歸來了。